三星持续投资闪存芯片,加剧与NAND市场的差异化

近日,三星电子闪存芯片项目二期第二阶段 80 亿美元投资正式启动。据悉,三星电子一期投资108亿美元,建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目;二期项目总投资 150 亿美元,主要制造闪存芯片。

其中,第一阶段投资约 70 亿美元,明年 3 月竣工投产;第二阶段投资 80 亿美元,2021 年下半年竣工。二期项目建成后将新增产能每月 13 万片,新增产值 300 亿元,解决上千人就业,并带动一批配套电子信息企业落户,使西安成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。

2012 年,西安高新区成功引进三星电子存储芯片项目,成为了三星海外投资历史上投资规模最大的项目,项目一期于 2014 年 5 月竣工投产,项目二期于 2018 年 3 月正式开工建设,其中第一阶段投资 70 亿美元。按照“三年之约”,三星必须在明年 8 月前完成投资,还要全面运营西安二工厂的生产线。据了解,三星西安二工厂的新生产线设备已安装完毕并已经开始试运行,预计明年 2 月可以实现量产。二期项目建成后将新增产能每月 13 万片,新增产值 300 亿元,解决上千人就业,并带动一批配套电子信息企业落户,使西安成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。随着我市营商环境不断改善,近期还有施耐德电气、世邦魏理仕、第一太平戴维斯等世界 500 强企业在西安扩大投资或落户。

此外,据消息人士透露,三星电子计划在明年将内存芯片设施的资本支出增加至 65 亿美元(合 462 亿元人民币),预计增加的部分资金将用于其位于西安的第二家半导体工厂。此外,三星电子将在年底宣布这项投资计划。

业内人士认为,三星电子的额外投资计划将为当前供过于求的 NAND 闪存市场带来更多不确定性,并且可能成为竞争加剧的 NAND 市场的差异化战略。

与 DRAM 不同,NAND 闪存市场正在逐渐显示出复苏的迹象。DRAMeXchange 的数据显示,上个月底,128Gb 多级单元(MLC)NAND 闪存产品的价格为 4.11 美元(4,918 韩元),与上个月相比变化不大。该数字在 7 月底两年来首次上升,8 月也增长了 2%以上。

报道指出,目前在 NAND 闪存市场上,三星电子、东芝、西部数据、美光、SK 海力士和英特尔之间竞争激烈,但尽管三星电子的加码投资和扩张生产不会对市场产生太大影响,一方面由于其他公司正在减产,三星电子也可以因此获得更多的市场份额。